Perbezaan antara BJT dan IGBT

BJT vs IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) dan IGBT (Transistor Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis transistor yang digunakan untuk mengawal arus. Kedua-dua peranti mempunyai simpang PN dan berbeza dalam struktur peranti. Walaupun kedua-dua transistor, mereka mempunyai perbezaan yang signifikan dalam ciri-ciri.

BJT (Bipolar Junction Transistor)

BJT adalah sejenis transistor yang terdiri daripada dua simpang PN (persimpangan yang dibuat dengan menyambung semikonduktor jenis p dan n jenis semikonduktor). Kedua-dua persimpangan ini dibentuk dengan menggunakan tiga bahagian semikonduktor dalam susunan P-N-P atau N-P-N. Oleh itu dua jenis BJT, yang dikenali sebagai PNP dan NPN, boleh didapati.

Tiga elektrod disambungkan kepada tiga bahagian semikonduktor dan plumbum tengah dipanggil 'asas'. Dua lagi jurang adalah 'pemancar' dan 'pemungut'.

Di BJT, pemancar pengumpul yang besar (I_c) semasa dikawal oleh arus pemancar asas kecil (I_B), dan harta ini dieksploitasi untuk reka bentuk penguat atau suis. Oleh itu, ia boleh dianggap sebagai peranti yang didorong semasa. BJT kebanyakannya digunakan dalam litar penguat.

IGBT (Transistor Bipolar Insulated Gate)

IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ia adalah sejenis transistor, yang boleh mengendalikan kuasa yang lebih tinggi dan mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih tinggi menjadikannya lebih tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.

IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua MOSFET dan transistor junction bipolar (BJT). Ia adalah pintu yang didorong seperti MOSFET dan mempunyai ciri-ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan kedua-dua keupayaan pengendalian semasa yang tinggi, dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada beberapa peranti) mengendalikan kilowatt kuasa.