Perbezaan Antara IGBT dan GTO
Share
IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis peranti semikonduktor dengan tiga terminal. Kedua-duanya digunakan untuk mengawal arus dan untuk menukar tujuan. Kedua-dua peranti mempunyai terminal kawalan yang dipanggil 'pintu', tetapi mempunyai pengetua operasi yang berlainan.
GTO (Gate Turn-off Thyristor)
GTO dibuat daripada empat jenis P dan lapisan semikonduktor N jenis, dan struktur peranti sedikit berbeza berbanding thyristor biasa. Dalam analisis, GTO juga dianggap sebagai pasangan berganti transistor (satu PNP dan lain-lain dalam konfigurasi NPN), sama seperti thyristors biasa. Tiga terminal GTO disebut 'anoda', 'katod' dan 'pintu gerbang'.
Dalam operasi, tindakan thyristor dijalankan apabila nadi diberikan ke pintu masuk. Ia mempunyai tiga mod operasi yang dikenali sebagai 'mod penyekat belakang', 'mod penyekat ke hadapan' dan 'mod menjalankan ke hadapan'. Setelah gerbang dicetuskan dengan denyut nadi, thyristor akan pergi ke mode 'forward conducting' dan terus melakukan hingga arus ke depan menjadi kurang dari ambang 'memegang arus'.
Di samping ciri-ciri thyristors normal, keadaan 'off' GTO juga dikawal melalui denyutan negatif. Dalam thyristors normal, fungsi 'mati' berlaku secara automatik.
GTO adalah peranti kuasa, dan kebanyakannya digunakan dalam aplikasi semasa seli.
Transistor Bipolar Transistor Gate (IGBT)
IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor yang boleh mengendalikan kuasa yang lebih tinggi dan mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih tinggi menjadikannya lebih tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.
IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua MOSFET dan transistor junction bipolar (BJT). Ia adalah pintu yang didorong seperti MOSFET dan mempunyai ciri-ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan kedua-dua keupayaan pengendalian semasa yang tinggi dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada beberapa peranti) mengendalikan kilowatt kuasa.
|
Apakah perbezaan antara IGBT dan GTO?? 1. Tiga terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pemungut dan pintu gerbang, manakala GTO mempunyai terminal yang dikenali sebagai anod, katod dan pintu masuk. 2. Pintu GTO hanya memerlukan nadi untuk bertukar, manakala IGBT memerlukan bekalan voltan pintu berterusan. 3. IGBT adalah sejenis transistor dan GTO adalah jenis thyristor, yang boleh dianggap sebagai pasangan yang dipasang dengan ketat transistor dalam analisis. 4. IGBT hanya mempunyai satu simpang PN, dan GTO mempunyai tiga daripadanya 5. Kedua-dua peranti digunakan dalam aplikasi kuasa tinggi. 6. GTO memerlukan peranti luaran untuk mengawal giliran dan denyutan, sedangkan IGBT tidak memerlukan.
|
