Perbezaan antara IGBT dan Thyristor

IGBT vs Thyristor

Thyristor dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis peranti semikonduktor dengan tiga terminal dan kedua-duanya digunakan untuk mengawal arus. Kedua-dua peranti mempunyai terminal kawalan yang dipanggil 'pintu', tetapi mempunyai pengetua operasi yang berlainan.

Thyristor

Thyristor diperbuat daripada empat lapisan semikonduktor berselang-seli (dalam bentuk P-N-P-N), oleh itu, terdiri daripada tiga persimpangan PN. Dalam analisis, ini dianggap sebagai pasangan yang dipasang dengan ketat transistor (satu PNP dan yang lain dalam konfigurasi NPN). Lapisan semikonduktor P dan N yang paling luar dipanggil anod dan katod masing-masing. Elektrod yang disambungkan ke lapisan semikonduktor jenis P yang dikenali sebagai 'pintu'.

Dalam operasi, tindakan thyristor dijalankan apabila nadi diberikan ke pintu masuk. Ia mempunyai tiga mod operasi yang dikenali sebagai 'mod penyekat belakang', 'mod penyekat ke hadapan' dan 'mod menjalankan ke hadapan'. Setelah gerbang dicetuskan dengan denyut nadi, thyristor akan pergi ke mode 'forward conducting' dan terus melakukan hingga arus ke depan menjadi kurang dari ambang 'memegang arus'.

Thyristors adalah peranti kuasa dan kebanyakan kali ia digunakan dalam aplikasi di mana arus dan tegangan tinggi terlibat. Aplikasi thyristor yang paling digunakan adalah mengawal arus berselang-seli.

Transistor Bipolar Transistor Gate (IGBT)

IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ia adalah sejenis transistor, yang boleh mengendalikan kuasa yang lebih tinggi dan mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih tinggi menjadikannya lebih tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.

IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua MOSFET dan transistor junction bipolar (BJT). Ia adalah pintu yang didorong seperti MOSFET dan mempunyai ciri-ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan kedua-dua keupayaan pengendalian semasa yang tinggi dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada beberapa peranti) mengendalikan kilowatt kuasa.

Secara ringkas:

Perbezaan antara IGBT dan Thyristor

1. Tiga terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pengumpul dan pintu gerbang, sedangkan thyristor mempunyai terminal yang dikenali sebagai anod, katod dan pintu masuk.

2. Pintu thyristor hanya memerlukan denyut nadi untuk berubah menjadi mod pengendalian, sedangkan IGBT memerlukan bekalan berterusan voltan gerbang.

3. IGBT adalah sejenis transistor, dan thyristor dianggap pasangan sepasang pasangan transistor dalam analisis.

4. IGBT hanya mempunyai satu simpang PN, dan thyristor mempunyai tiga daripadanya.

5. Kedua-dua peranti digunakan dalam aplikasi kuasa tinggi.

Teknologi